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STW88N65M5-4-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STW88N65M5-4-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，