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STW70N65DM6-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STW70N65DM6-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本N沟道场效应管（MOSFET）具备高电压和大电流承载能力，适用于多种高效功率管理系统。其漏源耐压VDSS为650V，最大连续漏极电流ID达49A，导通电阻RDON仅为33mΩ，有助于降低功耗并提升整体

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MPN
STW70N65DM6-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/STW70N65DM6-HXY
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