PUBLIC PAGE SUMMARY

STW26N65DM2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STW26N65DM2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电压与较低导通损耗的特性，适用于高频

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
STW26N65DM2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/STW26N65DM2-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed