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STP35N65DM2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STP35N65DM2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和快速开关特性，适用于高效

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MPN
STP35N65DM2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/STP35N65DM2-HXY
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