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STH30N65DM6-7AG-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STH30N65DM6-7AG-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定

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MPN: STH30N65DM6-7AG-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263-7L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/STH30N65DM6-7AG-HXY

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