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STF26N65DM2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STF26N65DM2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）、11A的连续漏极电流（ID）以及165mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性

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MPN
STF26N65DM2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/STF26N65DM2-HXY
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