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STF18N65DM2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

STF18N65DM2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持标准驱动电路，确保开关稳定

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MPN
STF18N65DM2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/STF18N65DM2-HXY
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