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STD10NM65N-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
STD10NM65N-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支
- MPN
- STD10NM65N-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-252-2L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/STD10NM65N-HXY