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SSM6N815R,LF TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

SSM6N815R,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TSOP-6F封装，询盘确认库存，特性：4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ（典型值）(VGS = 4.0V)。RDS(ON) = 101 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(