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SSM6J511NU,LF TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
SSM6J511NU,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-6-EP封装，询盘确认库存，特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ（最大值，VGS = -2.5V），RDS(ON) = 10mΩ（最大值，VGS = -4.5V）。应用：电源管理开关
- MPN
- SSM6J511NU,LF
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- PDFN-6-EP
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SSM6J511NU%2CLF