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SPT40N120T1B1T8TL-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SPT40N120T1B1T8TL-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可满足高功率场合下的开关需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管具备4

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MPN
SPT40N120T1B1T8TL-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SPT40N120T1B1T8TL-HXY
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