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SPP20N65C3XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SPP20N65C3XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25

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MPN
SPP20N65C3XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SPP20N65C3XKSA1-HXY
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