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SPP15N60C3XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SPP15N60C3XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅