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SPA15N65C3XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SPA15N65C3XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为9A，导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动

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MPN
SPA15N65C3XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SPA15N65C3XKSA1-HXY
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