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SIHP190N65E-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
SIHP190N65E-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高电压和高频工作条件下表现出较低的导通
- MPN
- SIHP190N65E-GE3-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-220C
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SIHP190N65E-GE3-HXY