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SIHP15N65E-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHP15N65E-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，兼容常规驱动电路并具备良