PUBLIC PAGE SUMMARY
SIHP125N65E-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
SIHP125N65E-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高温环境下展现
- MPN
- SIHP125N65E-GE3-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-220C
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SIHP125N65E-GE3-HXY