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SIHP100N65E-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
SIHP100N65E-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道结构，最大漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材
- MPN
- SIHP100N65E-GE3-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-220C
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SIHP100N65E-GE3-HXY