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SIHH21N65E-T1-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHH21N65E-T1-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，DFN-5B封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损