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SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，DFN-5B封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为14A，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高电压条件下实现低导通损