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SIHG44N65EF-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHG44N65EF-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）、29A最大连续漏极电流（ID）及60mΩ低导通电阻（RDON），支持高功率密度与高效率电路设计。器件具备优异的开关性能和热