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SIHG22N65E-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHG22N65E-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。其采用碳化硅材料，具有较低的导通与开关损耗，以及良好的高温工作