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SIHG21N65EF-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHG21N65EF-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低

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MPN
SIHG21N65EF-GE3-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SIHG21N65EF-GE3-HXY
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