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SIHG125N65E-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHG125N65E-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源电压耐压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与热稳定性，在高效率电

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MPN
SIHG125N65E-GE3-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SIHG125N65E-GE3-HXY
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