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SIHG110N65SF-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
SIHG110N65SF-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为32A，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下具有较低的导通与开关损耗
- MPN
- SIHG110N65SF-GE3-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-247
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SIHG110N65SF-GE3-HXY