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SIHG100N65E-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
SIHG100N65E-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与优
- MPN
- SIHG100N65E-GE3-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-247
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SIHG100N65E-GE3-HXY