PUBLIC PAGE SUMMARY

SIHD6N65ET4-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHD6N65ET4-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V（VGS）内稳定工