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SIHA24N80AE-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHA24N80AE-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备900V的漏源电压（VDSS）和24.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至110mΩ，适用于高电压、大电流的功率转换场景。栅源电压范围为-4V至+18