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SIHA21N80AEF-GE3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHA21N80AEF-GE3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的开关特