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SIHA15N60E-E3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHA15N60E-E3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其栅源电压范围为-5V至+1