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SIHA14N60E-E3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIHA14N60E-E3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，确保稳定的栅极控制与器件可