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SICW080N120Y4-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SICW080N120Y4-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导电性能与高效的开关特性。其最大漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，能够有效降低导通损耗，提高系统效率