PUBLIC PAGE SUMMARY

SICW025N065H4-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SICW025N065H4-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）范围为-10V至+25V。器件利用