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SICW025N065H-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SICW025N065H-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗和优异的开关性能，在高频率

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MPN
SICW025N065H-BP-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SICW025N065H-BP-HXY
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