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SICW020N065H-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SICW020N065H-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅