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SICPT20120Y-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SICPT20120Y-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-247-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，具备较高的功率处理能力。其正向导通压降为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管支持高频、

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MPN
SICPT20120Y-BP-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SICPT20120Y-BP-HXY
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