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SIC20120B-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SIC20120B-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件

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MPN: SIC20120B-BP-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/SIC20120B-BP-HXY

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