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SI7617DN-T1-GE3-MS MSKSEMI(美森科) 现货与清单询价

SI7617DN-T1-GE3-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8L封装，询盘确认库存，此款SI7617DN-T1-GE3-MS场效应管，它的主要参数包括：漏极电流ID为32A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至10mΩ。该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适用于多种功