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SCTH35N65G2V-7AG-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
SCTH35N65G2V-7AG-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为36mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较
- MPN
- SCTH35N65G2V-7AG-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-263-7L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SCTH35N65G2V-7AG-HXY