PUBLIC PAGE SUMMARY

SCT3080KLGC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT3080KLGC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备良好的高压与高电流工作特性，适用于多种功率控制场景。其主要参数包括：漏极电流ID为36A，漏源击穿电压VDSS达1200V，导通电阻RDON为80mΩ，可在较高

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
SCT3080KLGC11-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SCT3080KLGC11-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed