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SCT3040KLHRC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT3040KLHRC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源击穿电压（VDSS），可承受高达68A的连续漏极电流（ID），导通电阻仅为40mΩ（RDON），有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于高