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SCT3022KLHRC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT3022KLHRC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为81A，漏源耐压（VDSS）达到1200V，导通电阻（RDON

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MPN
SCT3022KLHRC11-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SCT3022KLHRC11-HXY
公开内容边界

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