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SCT2160KEHRC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT2160KEHRC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）和17A的额定漏极电流（ID），适用于高电压和中等功率应用场景。导通电阻（RDON）典型值为160mΩ，可有效

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MPN
SCT2160KEHRC11-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SCT2160KEHRC11-HXY
公开内容边界

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