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SCT2160KEC-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT2160KEC-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型碳化硅场效应管（SiC MOSFET），具备1200V漏源耐压（VDSS）与17A连续漏极电流能力（ID），适用于高电压与中高功率场景。导通电阻（RDON）典型值为160mΩ，有助于降

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SCT2160KEC-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SCT2160KEC-HXY
公开引用边界

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