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SCT2080KEHRC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT2080KEHRC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V的漏源电压（VDSS）与36A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为80mΩ，适用于高耐压与大电流工作条件。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热