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SCT2080KEGC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT2080KEGC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至80mΩ，适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。该器件