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SCT2080KEC-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT2080KEC-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V漏源耐压（VDSS）与36A额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为80mΩ，适用于高电压与大功率场景下的开关应用。器件基于高性能硅工艺设计，具备良好

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MPN: SCT2080KEC-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/SCT2080KEC-HXY

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