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SBAS40-04LT1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SBAS40-04LT1G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，SOT-23-3封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流