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SB360-T DIODES(美台) 现货与BOM询价

SB360-T，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，DO-201AD封装，询盘确认库存，特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗，高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达80A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 IEC 61000-4-2（ESD-150pF/330Ω）接触放电：±15kV。 无铅