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SB360-T DIODES(美台) 现货与清单询价

SB360-T,DIODES(美台),二极管 / 肖特基二极管,DO-201AD封装,询盘确认库存,特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达80A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 IEC 61000-4-2(ESD-150pF/330Ω)接触放电:±15kV。 无铅

MPN
SB360-T
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
DO-201AD
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SB360-T
公开内容边界

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