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S3D08065G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

S3D08065G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 > 碳化硅二极管，TO-263封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.42V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关特性，反向恢复时间极短，开关损耗显著低于传统硅二极管。器件耐高温性能良好，可在

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MPN: S3D08065G-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/S3D08065G-HXY

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